上世纪60年代，光刻技术刚刚出现的时候，使用的是普通的可见光光源，那时候的光刻机其实就是拿一个大灯泡照射掩膜板，和照相馆里冲洗照片没啥区别。

80年代，光源进化为采用高压放电汞灯产生的436纳米和365纳米光源，前者称为G线光源，后者称为i线光源，都属于近紫外光源。

90年代之后，出现了使用准分子激光器的248纳米、193纳米和157纳米光源，分别称为KrF、ArF和F2光源，属于深紫外光源。

再至于被誉为“皇冠上的明珠”的EUV光刻机，使用的是13.3纳米的极紫外光源，它的出现时间已经要算到2010年之后了。

时下，G线光源还是集成电路制造中使用的主流光源。i线光源光刻机已经问世，但还没有得到大规模推广。至于KrF，实验室概念已经提出来了，真正投入使用，还得是十年后的事情。

光刻的原理，与冲洗照片是一样的。首先，要把电路图制作成底片，称为掩膜。光源通过掩膜照射在涂了光刻胶的芯片基材上。

光刻胶由树脂、感光剂、溶剂和添加剂组成，其中的感光剂在光线照射下会发生反应，使曝光区的光刻胶溶解，这就相当于把掩膜上的电路图案复制到了芯片基材上。

随后，再进行蚀刻、离子注入、封装等操作，一枚芯片就制作完成了。

光刻胶中感光剂的选择，与光源是密切相关的，这涉及到化合物在不同波长光线作用下的变化，机理十分复杂。

徐云是知道这些概念的。他原本就是物理系的学生，枫林研究所聘请他的老师前来参与这个项目，就是因为其中涉及到一些光学方面的问题。他在项目组里耳濡目染了这么久，对于这些问题自然是非常了解的。

听到高凡的问题，徐云也只能把心里那些杂念抛开，认真地答道：“我们现在研究的重点，就是G线光刻胶，这也是目前应用最广泛的。

“i线光刻胶这方面，毕主任在实验室会议上提过几次，让大家有时间做一些积累，不过目前条件还不成熟。再至于说KrF光刻胶，好像国外也刚刚开始研究吧？”